В рамках конференції samsung foundry forum 2021 був представлений перший 3-нм чіп компанії. Вендор розкрив характеристики і графік виходу новинки, а також повідомив, що на підході продукт з 2-нанометровими транзисторами.
У представленій мікросхемі, виконаної по 3-нм техпроцесу, використовується технологія gate-all-around (gaa). На відміну від попереднього покоління (5-нм) на базі архітектури finfet, новинка отримала дизайн mbcfet із застосуванням нанолистов для створення транзисторів. Завдяки цьому чіпи при меншій на 35% площі демонструють підвищену на 30% продуктивність при тому ж енергоспоживанні або знижене на 50% енергоспоживання при тій же продуктивності.
При цьому samsung планує випустити напівпровідники за технологією gaa в двох версіях: з низьким енергоспоживанням — 3gae, яка надійде в масове виробництво на початку 2022 року, і високопродуктивний варіант 3gap з запуском роком пізніше, в 2023-му. Що стосується дорожньої карти виходу нових мікросхем, виконаних по 2-нм техпроцесу, 2gap на базі mbcfet, вони будуть запущені в масове виробництво в 2025 році.
Примітно, що tsmc планує випуск напівпровідників з 2-нанометровими транзисторами вже в 2024 році.
